HEMT

HEMT

 

[eɪtʃiːem'tiː; Abkürzung für englisch high electron mobility transistor, »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«], ein Feldeffekttransistor mit künstlicher Mikrostruktur auf Galliumarsenidbasis für Höchstfrequenz-Halbleiterbauelemente. Beim HEMT ist der Kanal undotiert, sodass die Elektronen im Kanal eine hohe Beweglichkeit aufweisen. Die Ladungsträger werden von den Donatoren der n-dotierten Schicht geliefert und bilden eine dünne Schicht Leitungselektronen hoher Konzentration (zweidimensionales Elektronengas). HEMT eignen sich für Gigabitanwendungen. Sie arbeiten mit Gatterverzögerungszeiten zwischen 10 und 20 ps und Zugriffszeiten von etwa 1 ns und sind damit um eine Größenordnung schneller als integrierte Schaltungen auf Siliciumbasis.